日本进口紫外线灯BDE-123ND

于2005年开始，使用尼康Nikon i-line步进式光刻机，型号：NSR-SF140,分辨率≤280nm。这是一种具有高吞吐量和极低拥有成本的扫描场i线步进器。

客户可以将NSR-SF140用于大规模生产下一代存储器和微处理器的非关键层。NSR-SF140可提高生产率并提高镜头性能。光源和透镜热管理得到了改进，在典型的生产应用中（即剂量=200mJ/cm2，300mm晶片上的76次曝光）。

光刻设备中光源为紫外线I线，波长为365nm，功率为7.5KW,对应型号为NLi-7500AL2,是日本ORC生产。

光源制作工厂给出寿命时间1500Hr，照度保证时间1500Hr的承诺。

使用步进式光刻机型号：NSR-SF140,NSR-SF150,NSR-SF155； 采用较好的技术和材料，我们的紫外线灯具有长寿命、低能耗、高紫外线输出等优点。日本进口紫外线灯BDE-123ND

高压短弧汞灯又称高压汞灯，ORC制作所有30年以上制造经验。

点亮汞灯需要高压启动器配合，目的是提供20KV电压，用于击穿汞灯的阳极/阴极之间的绝缘状态，使其在灯球内形成短路状态，持续放射出电弧。

电源提供电子，运动方向由正电荷移动到负电荷，电子和汞蒸气原子在灯球内相互碰撞，产生热量，100KPa以上的膨胀高压，持续发出紫外线平行光。

根据产品所需紫外线光种类，调整汞液体的充填量和充填稀有气体种类。

波长分布设计跨度UVA，UVB，UVC。 MERCURY LAMP紫外线灯UNL-5000i线步进式光刻机NSR-2205i11 SHRINC3,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2002A-1。

ORC制作所自1968年创业已来，立足于专门制造「光」，贡献于多个领域。用常年培育的技术力，满足客户需求，取得客户信赖。以光技术应用，先进的紫外线灯为支柱，面向电路板，液晶显示产业，半导体光刻设备，检查设备展开。

紫外线灯种类包含：超高压UV灯，高压UV灯，低压UV灯，金属卤化物灯，短弧灯等晶圆制造工程用UV照射装置・点灯用定电力／定照度电源，光照度计・光量计。

品质：1997年 6月7日 取得 ISO-9001认证(BVJC) 

环境：1998年12月4日 取得 ISO-14001认证(BVJC) 

超高圧UVランプは、紫外線波長の中でも、特に3線（436nm・405nm・365nm)を有効に活用できるように開発されており、長寿命で安定した放射照度を持つ高輝度光源です。 アークサイズが極めて点光源に近いため、光学系での光の集中・拡散が容易で、均一な照度分布が得られます。装置メーカーとの共同開発体制を背景に、デバイスメーカーのさまざまな要望に応える開発を進め、高い評価と信頼を得ているリソグラフィ用UVランプです。5kw～16kwクラスまでの幅広いラインナップで、生産性向上・歩留まり改善などに光をご提案します。また、お客さまの新規装置開発にあわせたランプ開発も承ります。高压汞灯能量无限，金属卤素灯照亮你的工业王国。

ORC 直流电源,型号：BDE-123ND，功率：12KW；适用于FX-51S，FX-61S,FX-63 TFT黄光曝光设备。

外形尺寸300(宽)×715（高）×600mm（深)

1.入力电源电压：200/208/220VAC±10％（自动切替）相数：3相3线周波数：50/60Hz（自动切替）稳定电流：50A以下突入电流：100A以下端子台番号：TB1端子台番号(CHAMBER侧)：TB649端子台螺丝：M6

2.LAMP输出控制方式：可以定电力控制方式和定照度控制方式切换稳定输出：1200W(定电力时)电压：LAMP点灯初期4分钟限制80±5A以下LAMP点灯4分钟过后，依存LAMP电压，最大电流限制在120A±5A以下端子台番号：TB2端子台螺丝：M8 NSR-2205iL1 曝光光源是 i-line（365nm波长），分辨率≤350nm，NA为 0.45，曝光场22 mm x 22 mm。185nm紫外线灯160Z22AL

我们的紫外线灯可降低能源消耗和运营成本，提高生产效率和产品质量.日本进口紫外线灯BDE-123ND

b.接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。接近式在现代光刻工艺中应用。c.投影式曝光（Projection Printing）:在掩膜板与光刻胶之间使用光学系统聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。日本进口紫外线灯BDE-123ND